RHP100V RT-CVD | RHP300V RT-CVD | RHP400V RT-CVD | RHP600V RT-CVD |
RHP100V RT-CVD는 진공 상태에서 텅스텐 할로겐 램프를 이용하여 고온(약 1000℃)으로 가열된 분위기에
탄화계열의 가스(CH4, C2H6 etc.)를 공급 및 열분해 하여 금속 촉매 기판(ex. Cu foil) 상에 Graphene을
합성하는 급속 열처리 장비입니다.
Graphene 합성영역은 Cold Wall의 구조로 된 Chamber, Heater, 반사판으로
되어 있으며, 온도 승온 및 하강 시간 조절이 용이하도록
구성되어 있습니다.
RHP100V RT-CVD는 어닐링 및 증착 공정에 사용하도록 설계되어 있습니다.
Application |
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ㆍRT-CVD, RTA ㆍHigh temperature anneal capability ㆍMetal catalyzed substrates ㆍ유효면적 Effective Size RHP100V □100X100 |
Specification |
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ㆍProcess temperature range : 100~1100 ℃ ㆍTemp. control accuracy : <±2℃ ㆍTemp. control repeatability : <±3℃ ㆍRamp up rate : Max. 5℃/sec ㆍPressure environment : 7x10-3 torr |
System features |
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ㆍQualified performance and reliability in production ㆍDual Lamp arrayed in Heater block(Left and Right) (Linear shaped tungsten Halogen lamp arrayed) ㆍMulti-point temperature measurement by thermocouples & pyrometer (2~10 Points) ㆍLower CoO and CoC ㆍLamp seal tube configuration(no quartz window) ㆍVertical gas flow(Gas injector) ㆍManual loading/unloading Cu foil transfer ㆍProduction proven Equipment control software |
RHP100V RT-CVD | RHP300V RT-CVD | RHP400V RT-CVD | RHP600V RT-CVD |
RHP300V RT-CVD는 진공 상태에서 텅스텐 할로겐 램프를
이용하여 고온(약 1000℃)으로 가열된 분위기에 탄화계열의
가스(CH4, C2H6 etc.)를 공급 및 열분해 하여 금속 촉매 기판
(ex. Cu foil) 상에 Graphene을 합성하는 급속 열처리
장비입니다.
Graphene 합성영역은 Cold Wall의 구조로 된 Chamber,
Heater, 반사판으로 되어 있으며, 온도 승온 및 하강 시간 조절이
용이하도록 구성되어 있습니다.
RHP300V RT-CVD는 어닐링 및 증착 공정에 사용하도록
설계되어 있습니다.
Application |
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ㆍRTA ㆍHigh temperature anneal capability ㆍMetal catalyzed substrates ㆍ유효면적 Effective Size RHP300V □250X300 |
Specification |
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ㆍTemperature sensor accuracy : < ±0.1℃ ㆍTemp. control accuracy : < ±2.0℃ ㆍTemp. control repeatability : <±3℃ ㆍProcess temperature range : 100℃ ~ 1100℃ ㆍRamp up & down rate : 5℃/sec & 2℃/sec ㆍTemperature uniformity : < ±5.0℃ ㆍPressure environment : 7x10-3 torr (35SLM Purge) ㆍ□250 X 350 : 4sheets of Cu foil/chamber ㆍ□500 X 600 : 6sheets of Cu foil/chamber |
System features |
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ㆍQualified performance and reliability in production ㆍDual Lamp arrayed in Heater block(Left and Right) (Linear shaped tungsten Halogen lamp arrayed) ㆍMulti-point temperature measurement by thermocouples & pyrometer (2~10 Points) ㆍLower CoO and CoC ㆍLamp seal tube configuration(no quartz window) ㆍVertical gas flow(Gas injector) ㆍManual loading/unloading Cu foil transfer ㆍProduction proven Equipment control software |
RHP100V RT-CVD | RHP300V RT-CVD | RHP400V RT-CVD | RHP600V RT-CVD |
RHP400V RT-CVD는 진공 상태에서 텅스텐 할로겐 램프를
이용하여 고온(약 1000℃)으로 가열된 분위기에 탄화계열의
가스(CH4, C2H6 etc.)를 공급 및 열분해 하여 금속 촉매 기판
(ex. Cu foil) 상에 Graphene을 합성하는 급속 열처리
장비입니다.
Graphene 합성영역은 Cold Wall의 구조로 된 Chamber,
Heater, 반사판으로 되어 있으며, 온도 승온 및 하강 시간 조절이
용이하도록 구성되어 있습니다.
RHP400V RT-CVD는 어닐링 및 증착 공정에 사용하도록
설계되어 있습니다.
Application |
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ㆍRTA ㆍHigh temperature anneal capability ㆍMetal catalyzed substrates ㆍ유효면적 Effective Size RHP400V □300X400 |
Specification |
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ㆍTemperature sensor accuracy : < ±0.1℃ ㆍTemp. control accuracy : < ±2.0℃ ㆍTemp. control repeatability : <±3℃ ㆍProcess temperature range : 100℃ ~ 1100℃ ㆍRamp up & down rate : 5℃/sec & 2℃/sec ㆍTemperature uniformity : < ±5.0℃ ㆍPressure environment : 7x10-3 torr (35SLM Purge) ㆍ□250 X 350 : 4sheets of Cu foil/chamber ㆍ□500 X 600 : 6sheets of Cu foil/chamber |
System features |
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ㆍQualified performance and reliability in production ㆍDual Lamp arrayed in Heater block(Left and Right) (Linear shaped tungsten Halogen lamp arrayed) ㆍMulti-point temperature measurement by thermocouples & pyrometer (2~10 Points) ㆍLower CoO and CoC ㆍLamp seal tube configuration(no quartz window) ㆍVertical gas flow(Gas injector) ㆍManual loading/unloading Cu foil transfer ㆍProduction proven Equipment control software |
RHP100V RT-CVD | RHP300V RT-CVD | RHP400V RT-CVD | RHP600V RT-CVD |
RHP600V RT-CVD는 진공 상태에서 텅스텐 할로겐 램프를
이용하여 고온(약 1000℃)으로 가열된 분위기에 탄화계열의
가스(CH4, C2H6 etc.)를 공급 및 열분해 하여 금속 촉매 기판
(ex. Cu foil) 상에 Graphene을 합성하는 급속 열처리
장비입니다.
Graphene 합성영역은 Cold Wall의 구조로 된 Chamber,
Heater, 반사판으로 되어 있으며, 온도 승온 및 하강 시간 조절이
용이하도록 구성되어 있습니다.
RHP600V RT-CVD는 어닐링 및 증착 공정에 사용하도록
설계되어 있습니다.
Application |
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ㆍRTA ㆍHigh temperature anneal capability ㆍMetal catalyzed substrates ㆍ유효면적 Effective Size RHP600V □500X600 / Optional RHP600V - LoadLock |
Specification |
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ㆍTemperature sensor accuracy : < ±0.1℃ ㆍTemp. control accuracy : < ±2.0℃ ㆍTemp. control repeatability : <±3℃ ㆍProcess temperature range : 100℃ ~ 1100℃ ㆍRamp up & down rate : 5℃/sec & 2℃/sec ㆍTemperature uniformity : < ±5.0℃ ㆍPressure environment : 7x10-3 torr (35SLM Purge) ㆍ□250 X 350 : 4sheets of Cu foil/chamber ㆍ□500 X 600 : 6sheets of Cu foil/chamber |
System features |
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ㆍQualified performance and reliability in production ㆍDual Lamp arrayed in Heater block(Left and Right) (Linear shaped tungsten Halogen lamp arrayed) ㆍMulti-point temperature measurement by thermocouples & pyrometer (2~10 Points) ㆍLower CoO and CoC ㆍLamp seal tube configuration(no quartz window) ㆍVertical gas flow(Gas injector) ㆍManual loading/unloading Cu foil transfer ㆍProduction proven Equipment control software |